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[促銷] 可控硅靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)(DBC-102)

可控硅靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
供應商參考報價:¥10000
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產(chǎn)品簡介

該測試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗測試中不可缺少的專用測試設備。

 該套測試設備主要有以下幾個單元組成:

1) 門極觸發(fā)參數(shù)測試單元

2) 維持電流測試單元

3) 阻斷參數(shù)測試單元

4) 通態(tài)壓降參數(shù)測試單元

5) 電壓上升率參數(shù)測試單元

6) 擎住電流

7) 門極電阻

8) 計算機控制系統(tǒng)

9) 合格證標簽打印

10) 夾具單元;包含平板夾具和模塊夾具

二、技術條件

主要技術指標:

  2.1  門極觸發(fā)電壓/門極觸發(fā)電流測試單元IGT/VGT

1. 陽極電壓:12V;

2. 陽極串聯(lián)電阻:6Ω;

3. 門極觸發(fā)電壓:0.35.00V±3%±10mV;

4. 門極觸發(fā)電流:2450mA±3%±1 mA;

2.2  維持電流測試單元IH

1. 陽極電壓:12V;

2. 預導通電流: 10A,正弦衰減波;

3. 維持電流: 2450mA  ±5%±1 mA;

4. 測試頻率:單次;

2.3  通態(tài)壓降測試單元VTM

1. 平板器件通態(tài)電流:0.105.00kA,分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%

2. 模塊器件通態(tài)電流:0.10~2.00kA,分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%

3.  電流上升沿時間:≥5ms;

4.  通態(tài)壓降測試范圍: 0.2010.00V, 分辨率:0.01V,精度±0.1 V±5%

5.  測試頻率:單次;

2.4  斷態(tài)電壓/斷態(tài)漏電流VD/ID;反向電壓/反向漏電流VR/IR測試單元

1. 阻斷電壓:0.206.00kV,分辨率:0.01kV,精度±0.1 kV±3%;

模塊單元阻斷電壓:0.20~4.00kV

2. 正反向自動測試

3.正/反向漏電流:0.2~100 mA,分辨率:0.1 mA;

精度±5%±1 mA;

4. 輸出保護電壓和電流可計算機設定范圍值;在測試時電壓或漏電流超過所  設定的范圍則自動保護。   

5. 測試頻率: 50HZ

2.5  斷態(tài)電壓臨界上升率測試單元dv/dt

1. 電壓:1200V,1600V,2000V三檔,分辨率:1V,精度±5%

2.  電壓過沖范圍:<50V±10%

3. DV/DT電壓上升率三擋選擇:dv/dt:800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%

2.6  擎住電流IL100-1800mA

2.7  平板夾具壓力范圍:6-60KN,氣動加壓方式

三、功能概述

3-1測試功能范圍

該套測試設備主要可測試以下參數(shù):

1. 門極參數(shù)測試:VGT、IGT

2. 維持電流測試:IH

3. 阻斷參數(shù)測試:本測試單元可用以測量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRMIRRM以及整流二極管的VRRM、IRRM等參數(shù)。

4. 壓降單元

本測試單元用來測量晶閘管、整流管的VTM、ITM、VFM、IFM等參數(shù)。

5、 電壓上升率參數(shù)測試:dv/dt

6、 擎住電流IL

7、 門極電阻:適合門極觸發(fā)電壓在0.95V以上器件測試

3-2、測試方法和測試準則及原理滿足 IEC 60747-6-2000 中關于晶閘管測試的具體規(guī)定。

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