FAU發(fā)現(xiàn)碳化硅晶體管中的缺陷電力電子器件有望變得更節(jié)能！
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來(lái)源：IntelligentThings 更新時(shí)間：2019-01-14 18:17:27 [我要投稿] |
| 今天，要重點(diǎn)關(guān)注的是第三代半導(dǎo)體材料：碳化硅（SiC）。近日，德國(guó)埃爾朗根-紐倫堡大學(xué)（FAU）的研究人員開發(fā)出一種簡(jiǎn)單精確的方法，它可用于發(fā)現(xiàn)最新一代碳化硅晶體管中的缺陷。未來(lái)，這種方法將有利于加速開發(fā)更節(jié)能的晶體管。他們將這項(xiàng)成果發(fā)表在知名期刊《通 ...[查看原文] |
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