擴散爐主要滿足半導(dǎo)體電力電子器件行業(yè)、大功率集成電路等行業(yè),對所加工硅片進(jìn)行擴散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴散爐加熱爐體、氣源系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、超凈化操作系統(tǒng)等組成。選用工控機微控方式或者程控方式操作。
技術(shù)指標(biāo):
可處理硅片尺寸:2—12英寸
工作溫度:200℃—1300℃
恒溫區(qū)長度及精度:200mm—1100mm≤±0.5℃
單點溫度穩(wěn)定性、重復(fù)性:≤±1.5℃/24h
溫度斜變:可控升溫速率20℃/min,
可控降溫速率:5℃/min
送片裝置:全自動懸臂推拉舟、拉桿是推拉舟、手動推拉
氣路系統(tǒng):1—5路工藝氣體/管
氣體控制:全自動MFC、手動浮子流量計
控制方式:工控機、觸摸屏