u<1> 渦流法電阻率分析儀（晶錠和晶片），應(yīng)用于半導(dǎo)體Wafer及Ingot的電阻率分析； u<2> 渦流法電阻率探頭（晶錠和晶片），應(yīng)用于光伏、太陽(yáng)能Si片的檢測(cè)； u<3> SPV法PN探頭，應(yīng)用于光伏、太陽(yáng)能Si片的檢測(cè)； u<4> 電容法厚度探頭，應(yīng)用于Wafer的厚度測(cè)量，分辨率0.1μm； u<5> 遷移率（霍爾）測(cè)試儀，應(yīng)用于載流子遷移率及載流子濃度的測(cè)量； u<6> JPV法薄膜方阻探頭及分析系統(tǒng)，應(yīng)用于電池片方阻測(cè)量； u<7> 半自動(dòng)Wafer電阻率、厚度、PN、溫度分析系統(tǒng)（解決樣片翹曲度影響）。